ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTR4003NT3G транзистор, N-Channel MOSFET, 560 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NTR4003NT3G транзистор, N-Channel MOSFET, 560 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NTR4003NT3G транзистор, N-Channel MOSFET, 560 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23
Последняя цена
27 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 30 В, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NTR4003NT3G транзистор
P/N
NTR4003NT3G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1742964
Технические параметры
Вес, г
0.28
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Высота
1.01мм
Transistor Material
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Length
3.04мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
29 нКл при 4,5 В
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Тип корпуса
SOT-23
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Continuous Drain Current
560 мА
Maximum Power Dissipation
830 мВт
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.4мм
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Техническая документация
Datasheet NTR4003NT3G , pdf
, 121 КБ