ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTR3A30PZT1G, МОП-транзистор, P Канал, 3 А, 20 В, 0.031 Ом, 4.5 В, 650 мВ - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
NTR3A30PZT1G, МОП-транзистор, P Канал, 3 А, 20 В, 0.031 Ом, 4.5 В, 650…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NTR3A30PZT1G, МОП-транзистор, P Канал, 3 А, 20 В, 0.031 Ом, 4.5 В, 650 мВ
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
NTR3A30PZT1G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1324382
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
sot-23
Рассеиваемая Мощность
480мВт
Полярность Транзистора
P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
20В
Непрерывный Ток Стока
3А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.031Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
650мВ
Техническая документация
Datasheet NTR3A30PZT1G , pdf
, 96 КБ