NTMFS5C628NLT1G, Транзистор MOSFET N-CH 60В [DFN-5 / SO-8FL], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 130 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 60 В, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

NTMFS5C628NLT1G

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1785123

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

0.15

Максимальный непрерывный ток стока

150 А

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

6.1мм

Высота

1.05мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

3,3 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

1.2V

Длина

5.1мм

Типичное время задержки выключения

28 нс

Тип корпуса

DFN

Размеры

5.1 x 6.1 x 1.05мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

15 нс

Производитель

ON Semiconductor

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Число контактов

2 (силовых/коаксиальных), 5 (силовых/коаксиальных), 5 (сигнальных)

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

52 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

3600 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Прямая активная межэлектродная проводимость

110S

Техническая документация

NTMFS5C628NL_D-1101589 , pdf , 185 КБ

NTMFS5C628NLT1G, Транзистор MOSFET N-CH 60В [DFN-5 / SO-8FL] - характеристики, поставщики

Последняя цена 130 руб.

Техническая документация