ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTMFS5C430NLT1G, Транзистор MOSFET N-канал 40В 38А [DFN5/ SO-8FL EP] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NTMFS5C430NLT1G, Транзистор MOSFET N-канал 40В 38А [DFN5/ SO-8FL EP]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NTMFS5C430NLT1G, Транзистор MOSFET N-канал 40В 38А [DFN5/ SO-8FL EP]
Последняя цена
170 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 40 В, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NTMFS5C430NLT1G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1785122
Технические параметры
Вес, г
0.15
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Package Type
DFN
Высота
1.1мм
Transistor Material
Кремний
Length
5.1мм
Brand
ON Semiconductor
Pin Count
5
Typical Gate Charge @ Vgs
32 nC @ 4.5 V, 70 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
200 А
Maximum Power Dissipation
110 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
6.1мм
Maximum Drain Source Resistance
2.2 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Forward Diode Voltage
1.2V
Техническая документация
NTMFS5C430NL , pdf
, 82 КБ