NTMFS5832NLT1G, Микросхема, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 128 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

NTMFS5832NLT1G

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1811886

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

110 А

Максимальное рассеяние мощности

96 W

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

6.1мм

Высота

1.1мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

6,5 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

5.1мм

Типичное время задержки выключения

32 нс

Тип корпуса

SO-8FL

Размеры

5.1 x 6.1 x 1.1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

13 ns

Производитель

ON Semiconductor

Maximum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

51 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

2900 pF @ 15 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

NTMFS5832NLT1G, Микросхема - характеристики, поставщики

Последняя цена 128 руб.