ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTMFS4C10NT1G, МОП-транзистор, N Канал, 46 А, 30 В, 0.0058 Ом, 10 В, 2.2 В [SO-8 FL] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NTMFS4C10NT1G, МОП-транзистор, N Канал, 46 А, 30 В, 0.0058 Ом, 10 В, 2…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NTMFS4C10NT1G, МОП-транзистор, N Канал, 46 А, 30 В, 0.0058 Ом, 10 В, 2.2 В [SO-8 FL]
Последняя цена
77 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор NFET SO8FL 30V 46A 6.96MO
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NTMFS4C10NT1G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1785120
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
5вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
DFN
Рассеиваемая Мощность
23.6Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Непрерывный Ток Стока
46А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0058Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
2.2В
Вес, г
0.7
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Техническая документация
NTMFS4C10N-D , pdf
, 178 КБ
Datasheet , pdf
, 178 КБ
Datasheet NTMFS4C10NT1G , pdf
, 84 КБ