ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTMFS4955NT1G, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NTMFS4955NT1G, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NTMFS4955NT1G, Транзистор
Последняя цена
170 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор NFET SO8FL 30V 48A 6MOHM
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NTMFS4955NT1G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1809519
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
0.833
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
48 A
Pd - рассеивание мощности
23.2 W
Qg - заряд затвора
21.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
5.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.2 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
27.5 ns
Время спада
4.1 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
52 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1500
Серия
NTMFS4955N
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
20.3 ns
Типичное время задержки при включении
7.4 ns
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка / блок
DFN-5
Техническая документация
Datasheet NTMFS4955NT1G , pdf
, 118 КБ
Datasheet , pdf
, 171 КБ