ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTMFS4936NT1G, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NTMFS4936NT1G, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NTMFS4936NT1G, Транзистор
Последняя цена
52 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 30 В, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NTMFS4936NT1G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1324280
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
SO-8FL
Transistor Material
Si
Length
5.1mm
Brand
ON Semiconductor
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
79 A
Maximum Power Dissipation
43 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
6.1mm
Height
1.1mm
Maximum Drain Source Resistance
4.8 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
