ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTMFD4901NFT1G, Транзистор 2N-MOSFET 30В [PowerTDFN-8] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NTMFD4901NFT1G, Транзистор 2N-MOSFET 30В [PowerTDFN-8]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NTMFD4901NFT1G, Транзистор 2N-MOSFET 30В [PowerTDFN-8]
Последняя цена
160 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NTMFD4901NFT1G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1809870
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
DFN
Рассеиваемая Мощность
1.9Вт
Полярность Транзистора
Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Непрерывный Ток Стока
13.5А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0052Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
2.2В
Вес, г
1
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Техническая документация
NTMFD4901NF_D-2318942 , pdf
, 229 КБ
Datasheet , pdf
, 109 КБ