Транзистор полевой NTMD5838NLR2G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 26 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

NTMD5838NLR2G

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2473055

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

SOIC

Рассеиваемая Мощность

2.1Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

40В

Непрерывный Ток Стока

7.4А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.0162Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

1.8В

Transistor Mounting

Surface Mount

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1-Безлимитный

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Brand

ON Semiconductor

Series

NTMD5838NL

Package / Case

SOIC-8

Technology

Rds On - Drain-Source Resistance

20 mOhms, 20 mOhms

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

40 V

Vgs - Gate-Source Voltage

10 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Channel Mode

Enhancement

Configuration

Dual

Packaging

Cut Tape or Reel

Product Category

MOSFET

Typical Turn-On Delay Time

11 ns, 11 ns

Typical Turn-Off Delay Time

17 ns, 17 ns

Factory Pack Quantity

2500

Fall Time

4 ns, 4 ns

Forward Transconductance - Min

4 S, 4 S

Id - Continuous Drain Current

8.9 A

Manufacturer

ON Semiconductor

Mounting Style

SMD/SMT

Number Of Channels

2 Channel

Pd - Power Dissipation

3 W

Product Type

MOSFET

Qg - Gate Charge

17 nC, 17 nC

Rise Time

23 ns, 23 ns

Subcategory

MOSFETs

Transistor Type

2 N-Channel

Unit Weight

0.019048 oz

Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage

1 V

Техническая документация

Datasheet NTMD5838NLR2G , pdf , 111 КБ
Datasheet NTMD5838NLR2G , pdf , 131 КБ

Транзистор полевой NTMD5838NLR2G - характеристики, поставщики

Последняя цена 26 руб.

Техническая документация