ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTMD4840NR2G, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 5.5 А, 0.016 Ом, SOIC, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
NTMD4840NR2G, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 5.5 А, 0.016 Ом,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NTMD4840NR2G, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 5.5 А, 0.016 Ом, SOIC, Surface Mount
Последняя цена
140 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
NTMD4840NR2G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1324256
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Рассеиваемая Мощность
1.14Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Непрерывный Ток Стока
5.5А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.016Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
3В
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.1
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 136 КБ