NTD5867NLT4G, Транзистор MOSFET N-канал 60В 20A [DPAK], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 79 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

NTD5867NLT4G

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1785112

Технические параметры

Вес, г

0.4

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Ширина

6.22мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Длина

6.73мм

Высота

2.38мм

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.38мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Производитель

ON Semiconductor

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное рассеяние мощности

36 Вт

Максимальное сопротивление сток-исток

50 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Материал транзистора

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

675 пФ при 25 В

Тип канала

Типичное время задержки выключения

18,2 нс

Типичное время задержки включения

6,5 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Техническая документация

NTD5867NL , pdf , 135 КБ

NTD5867NLT4G, Транзистор MOSFET N-канал 60В 20A [DPAK] - характеристики, поставщики

Последняя цена 79 руб.

Техническая документация