NTD5865NLT4G, Транзистор, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 110 руб.

Сравнить

Описание

NTD5865NLT4G - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, отличающийся низким зарядом затвора, возможностью высокого тока и быстрой коммутацией.

• 100% лавинные испытания
• ± 20 В Напряжение затвор-исток
• 2,1 ° C / Вт Тепловое сопротивление переход-корпус (сток)
• 49 ° C / Вт тепловое сопротивление окружающей среды

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

NTD5865NLT4G

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1811804

Технические параметры

Вес, г

0.378

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Ширина

6.22мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Длина

6.73мм

Высота

2.38мм

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.38мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Производитель

ON Semiconductor

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

40 A

Максимальное рассеяние мощности

52 Вт

Максимальное сопротивление сток-исток

19 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Материал транзистора

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

1400 pF @ 25 V

Тип канала

Типичное время задержки выключения

26 нс

Типичное время задержки включения

8,4 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

29 nC @ 10 V

Maximum Gate Threshold Voltage

Техническая документация

Datasheet NTD5865NLT4G , pdf , 133 КБ
Datasheet NTD5865NLT4G , pdf , 103 КБ
Datasheet NTD5865NLT4G , pdf , 131 КБ

NTD5865NLT4G, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 110 руб.

Техническая документация