ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTD25P03LT4G, Small Signal, P Канал, -25 А, -30 В, 0.056 Ом, -5 В, -1.6 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NTD25P03LT4G, Small Signal, P Канал, -25 А, -30 В, 0.056 Ом, -5 В, -1.…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NTD25P03LT4G, Small Signal, P Канал, -25 А, -30 В, 0.056 Ом, -5 В, -1.6
Последняя цена
150 руб.
Сравнить
Описание
P-канальный силовой полевой МОП-транзистор, от 30 до 500 В, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NTD25P03LT4G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1808403
Технические параметры
Вес, г
0.46
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
DPAK (TO-252)
Transistor Material
Si
Length
6.73mm
Brand
ON Semiconductor
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 5 V
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Power Dissipation
75 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
6.22mm
Height
2.38mm
Maximum Drain Source Resistance
90 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Техническая документация
Datasheet NTD25P03LT4G , pdf
, 193 КБ
Datasheet NTD25P03LT4G , pdf
, 113 КБ