ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTBG040N120SC1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 60 А, 1.2 кВ, 0.04 Ом, TO-263HV (D2PAK) - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
NTBG040N120SC1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 60 А, 1.2 кВ,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NTBG040N120SC1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 60 А, 1.2 кВ, 0.04 Ом, TO-263HV (D2PAK)
Последняя цена
2920 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
NTBG040N120SC1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1323908
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
7вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263HV (D2PAK)
Рассеиваемая Мощность
357Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
1.2кВ
Непрерывный Ток Стока
60А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.04Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
20В
Пороговое Напряжение Vgs
3В
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
3.4
MOSFET Configuration
Single
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Техническая документация
Datasheet NTBG040N120SC1 , pdf
, 245 КБ