ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTB5605PT4G, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NTB5605PT4G, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NTB5605PT4G, Транзистор
Последняя цена
230 руб.
Сравнить
Описание
P-канальный силовой полевой МОП-транзистор, от 30 до 500 В, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NTB5605PT4G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1806224
Технические параметры
Вес, г
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Package Type
D2PAK (TO-263)
Transistor Material
Si
Length
10.29mm
Brand
ON Semiconductor
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Configuration
Одиночный
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
18.5 A
Maximum Power Dissipation
88 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
9.65mm
Height
4.83mm
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
60 В
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Техническая документация
Datasheet NTB5605PT4G , pdf
, 139 КБ
