ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NSVJ5908DSG5T1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -15 В, 10 мА, 32 мА, -1.5 В, MCPH, JFET - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
NSVJ5908DSG5T1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -15 В, 10 мА,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
NSVJ5908DSG5T1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -15 В, 10 мА, 32 мА, -1.5 В, MCPH, JFET
Последняя цена
190 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
NSVJ5908DSG5T1G
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1323602
Технические параметры
Количество Выводов
5 Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
MCPH
Напряжение Пробоя Vbr
-15В
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off)
-1.5В
Тип Транзистора
JFET
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max)
32мА
Вес, г
1.361
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min)
10мА
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet NSVJ5908DSG5T1G , pdf
, 569 КБ