ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NSVF6003SB6T1G, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 12 В, 7 ГГц, 800 мВт, 150 мА, CPH - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
NSVF6003SB6T1G, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 12 В, 7 ГГц, 800 мВт,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
NSVF6003SB6T1G, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 12 В, 7 ГГц, 800 мВт, 150 мА, CPH
Последняя цена
130 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
NSVF6003SB6T1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1323599
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
12в
Рассеиваемая Мощность
800мВт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
150мА
DC Усиление Тока hFE
100hFE
Частота Перехода ft
7ГГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.3
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Корпус РЧ Транзистора
CPH
Техническая документация
Datasheet NSVF6003SB6T1G , pdf
, 374 КБ