ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NST65011MW6T1G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 65 В, 100 мА, 380 мВт, 0.9 hFE, SOT-363 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
NST65011MW6T1G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 65 В, 100…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
NST65011MW6T1G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 65 В, 100 мА, 380 мВт, 0.9 hFE, SOT-363
Последняя цена
96 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
NST65011MW6T1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1323564
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
65В
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-363
Рассеиваемая Мощность
380мВт
Полярность Транзистора
Двойной NPN
DC Ток Коллектора
100мА
DC Усиление Тока hFE
0.9hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
2
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 68 КБ