ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NST3906DXV6T1G, Массив биполярных транзисторов, Двойной PNP, -40 В, 200 мА, 357 Вт, 30 hFE, SOT-563 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
NST3906DXV6T1G, Массив биполярных транзисторов, Двойной PNP, -40 В, 20…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
NST3906DXV6T1G, Массив биполярных транзисторов, Двойной PNP, -40 В, 200 мА, 357 Вт, 30 hFE, SOT-563
Последняя цена
96 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
NST3906DXV6T1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1323561
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
-40В
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-563
Рассеиваемая Мощность
357Вт
Полярность Транзистора
Двойной PNP
DC Ток Коллектора
200ма
DC Усиление Тока hFE
30hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.3
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet NST3906DXV6T1G , pdf
, 97 КБ