NSS60201LT1G, Биполярный транзистор, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 32 руб.

Сравнить

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 60V NPN LOW VCE(SAT) XTR

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

NSS60201LT1G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2427002

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Base Product Number

NSS60201 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

150 @ 1A, 2V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

460mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

140mV @ 200mA, 2A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.14 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

3.04мм

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

60 В пост. тока

Package Type

SOT-23

Maximum Power Dissipation

710 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.4мм

Pin Count

Dimensions

3.04 x 1.4 x 1.01mm

Maximum Emitter Base Voltage

8 В пост. тока

Minimum DC Current Gain

100

Тип транзистора

NPN

Pd - рассеивание мощности

540 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.01mm

Длина

2.9 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

160

Конфигурация

Одиночный

Максимальный постоянный ток коллектора

2 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

140 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

8 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

NSS60201LT1G

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3 mm

Квалификация

AEC-Q101

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Максимальное рассеяние мощности

710 мВт

Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение эмиттер-база

8 V dc

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

0,9 В

Maximum Continuous Collector Current

2 A

Automotive Standard

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet NSS60201LT1G , pdf , 106 КБ
Datasheet NSS60201LT1G , pdf , 183 КБ

NSS60201LT1G, Биполярный транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 32 руб.

Техническая документация