NSS40301MDR2G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 40 В, 3 А, 653 мВт, 0.9 hFE, SOIC - характеристики, поставщики

NSS40301MDR2G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 40 В, 3 А, 653 мВт, 0.9 hFE, SOIC

Сравнить

Производитель

ONSEMI

Артикул

NSS40301MDR2G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1323548

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

40В

Стиль Корпуса Транзистора

SOIC

Рассеиваемая Мощность

653мВт

Полярность Транзистора

Двойной NPN

DC Ток Коллектора

3А

DC Усиление Тока hFE

0.9hFE

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.4