NSS12100XV6T1G, Транзистор специального назначения SOT563, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 79 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

NSS12100XV6T1G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2160031

Технические параметры

Вес, г

0.02

Number of Elements per Chip

Pin Count

Minimum DC Current Gain

100@500mA@2V|90@1A@2V|200@10mA@2V

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

PNP

Product Category

Bipolar Small Signal

Configuration

Single Quad Collector

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

1.15@0.01A@1A

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.44@0.1A@1A|0.225@0.05A@0.5A|0.1@0.002A@0.1A|0.06@0.01A@0.1A|0.04@0.005A@0.05A

Maximum DC Collector Current (A)

Maximum Collector Cut-Off Current (nA)

100

Maximum Power Dissipation (mW)

500

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Yes

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-563

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

0.55

Package Length

1.6

Package Width

1.2

PCB changed

Lead Shape

Flat

Техническая документация

Datasheet NSS12100XV6T1G , pdf , 178 КБ

NSS12100XV6T1G, Транзистор специального назначения SOT563 - характеристики, поставщики

Последняя цена 79 руб.

Техническая документация