ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NJW21194G, Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 200 Вт, TO-3P, Through Hole - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
NJW21194G, Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 200 Вт, TO-3P, Thr…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
NJW21194G, Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 200 Вт, TO-3P, Through Hole
Последняя цена
730 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
NJW21194G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1322179
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
250в
Стиль Корпуса Транзистора
to-3p
Рассеиваемая Мощность
200Вт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
16А
DC Усиление Тока hFE
8hFE
Частота Перехода ft
4МГц
Transistor Mounting
Through Hole
Вес, г
5.8
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 118 КБ