ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NJW0302G, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NJW0302G, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
NJW0302G, Транзистор
Последняя цена
160 руб.
Сравнить
Описание
Силовые транзисторы PNP, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NJW0302G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1322177
Технические параметры
Вес, г
6.7
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Transistor Type
PNP
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V dc
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
1 MHz
Number of Elements per Chip
1
Length
15.8мм
Maximum Collector Base Voltage
250 В пост. тока
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
250 В
Package Type
TO-3P
Maximum Power Dissipation
150 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
5мм
Maximum DC Collector Current
15 A
Height
20.1мм
Pin Count
2
Dimensions
15.8 x 5 x 20.1mm
Maximum Emitter Base Voltage
5 В
Minimum DC Current Gain
75
Техническая документация
NJW0281-D , pdf
, 103 КБ
Datasheet , pdf
, 166 КБ
Datasheet , pdf
, 106 КБ
