ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NJVMJB41CT4G, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А, 65 Вт, TO-263 (D2PAK), Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
NJVMJB41CT4G, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А, 65 Вт, TO-263 (D…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
NJVMJB41CT4G, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А, 65 Вт, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Последняя цена
260 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
NJVMJB41CT4G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1322171
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
100В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263(D2PAK)
Рассеиваемая Мощность
65Вт
Полярность Транзистора
NPN
DC Ток Коллектора
6А
DC Усиление Тока hFE
15hFE
Частота Перехода ft
3МГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.4
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 127 КБ