ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NJD35N04T4G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 350 В, 4 А, 45 Вт, 300 hFE, TO-252 (DPAK) - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
NJD35N04T4G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 350 В, 4 А,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
NJD35N04T4G, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 350 В, 4 А, 45 Вт, 300 hFE, TO-252 (DPAK)
Последняя цена
210 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
NJD35N04T4G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1322116
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1-Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
350В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252(DPAK)
Рассеиваемая Мощность
45Вт
Полярность Транзистора
Двойной NPN
DC Ток Коллектора
4А
DC Усиление Тока hFE
300hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.43
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 123 КБ