NHUMH13F, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN, 80 В, 100 мА, 4.7 кОм, 47 кОм, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 44 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы

Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 NPN - с предварительным смещением (двойной) 80 В 100 мА 170 МГц 350 мВт Поверхностный монтаж 6-TSSOP

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

NHUMH13F

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1321852

Технические параметры

Количество Выводов

6 Выводов

Напряжение Коллектор-Эмиттер

80В

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.02

Base Product Number

NHUMH13 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

170MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Power - Max

350mW

Supplier Device Package

6-TSSOP

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 500ВµA, 10mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

80V

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Линейка Продукции

NHUMH13 Series

Корпус РЧ Транзистора

SC-88

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Резистор На входе Базы R1

4.7кОм

Непрерывный Коллекторный Ток Ic

100мА

Соотношение Сопротивления, R1 / R2

0.1соотношение

Резистор База-эмиттер R2

47кОм

Полярность Цифрового Транзистора

Двойной NPN

Resistor - Base (R1)

4.7kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)

47kOhms

Техническая документация

Datasheet , pdf , 294 КБ

NHUMH13F, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN, 80 В, 100 мА, 4.7 кОм, 47 кОм - характеристики, поставщики

Последняя цена 44 руб.

Техническая документация