ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NHDTC114YTR, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 80 В, 100 мА, 10 кОм, 47 кОм - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
NHDTC114YTR, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 8…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
NHDTC114YTR, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 80 В, 100 мА, 10 кОм, 47 кОм
Последняя цена
25 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TRANS 80V 100MA NPN
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
NHDTC114YTR
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1321784
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Количество Выводов
3 Вывода
Напряжение Коллектор-Эмиттер
80В
Полярность Транзистора
NPN
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.024
Base Product Number
NHDTC114 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
170MHz
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
250mW
Supplier Device Package
TO-236AB
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 500ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80V
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Линейка Продукции
NHDTC114YT Series
Корпус РЧ Транзистора
TO-236AB
Pd - рассеивание мощности
250 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
100
Конфигурация
Single
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7 V
Непрерывный коллекторный ток
100 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-23-3
Другие названия товара №
934661367215
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Максимальная рабочая частота
170 MHz
Резистор На входе Базы R1
10кОм
Непрерывный Коллекторный Ток Ic
100мА
Соотношение Сопротивления, R1 / R2
0.21соотношение
Резистор База-эмиттер R2
47кОм
Полярность Цифрового Транзистора
Одиночный NPN
Пиковый постоянный ток коллектора
100 mA
Типичное входное сопротивление
10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора
21
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 299 КБ
Datasheet , pdf
, 300 КБ