NHDTA114ETVL, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный PNP, 80 В, 100 мА, 10 кОм, 10 кОм, 1 соотношение, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 46 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы

Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP - с предварительным смещением 80 В 100 мА 150 МГц 250 мВт Поверхностный монтаж TO-236AB

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

NHDTA114ETVL

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1321757

Технические параметры

Количество Выводов

3 Вывода

Напряжение Коллектор-Эмиттер

80В

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.024

Base Product Number

NHDTA114 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

150MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

250mW

Supplier Device Package

TO-236AB

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 500ВµA, 10mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

80V

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Линейка Продукции

NHDTA114ET Series

Корпус РЧ Транзистора

TO-236AB

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Резистор На входе Базы R1

10кОм

Непрерывный Коллекторный Ток Ic

100мА

Соотношение Сопротивления, R1 / R2

1соотношение

Резистор База-эмиттер R2

10кОм

Полярность Цифрового Транзистора

Одиночный PNP

Resistor - Base (R1)

10 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)

10 kOhms

Техническая документация

Datasheet , pdf , 293 КБ

NHDTA114ETVL, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный PNP, 80 В, 100 мА, 10 кОм, 10 кОм, 1 соотношение - характеристики, поставщики

Последняя цена 46 руб.

Техническая документация