NGTB25N120FL3WG, БТИЗ транзистор, 100 А, 1.7 В, 349 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов), ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 980 руб.

Сравнить

Описание

IGBT Discretes, ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) для приводов двигателей и других приложений с сильноточной коммутацией.

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

NGTB25N120FL3WG

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1811316

Технические параметры

Максимальная рабочая температура

175 C

Вес, г

4.083

DC Ток Коллектора

100А

Напряжение Коллектор-Эмиттер

1.2кВ

Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)

1.7В

Рассеиваемая Мощность

349Вт

Стиль Корпуса Транзистора

to-247

Количество Выводов

3вывод(-ов)

NGTB25N120FL3WG, БТИЗ транзистор, 100 А, 1.7 В, 349 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов) - характеристики, поставщики

Последняя цена 980 руб.