ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NGTB15N120FL2WG, БТИЗ транзистор, 30 А, 2 В, 294 Вт, 1.2 кВ, [TO-247-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NGTB15N120FL2WG, БТИЗ транзистор, 30 А, 2 В, 294 Вт, 1.2 кВ, [TO-247-3…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
NGTB15N120FL2WG, БТИЗ транзистор, 30 А, 2 В, 294 Вт, 1.2 кВ, [TO-247-3]
Последняя цена
1090 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/15A VERY FAST IGBT
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NGTB15N120FL2WG
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1810634
Технические параметры
Вес, г
1
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
30
Тип продукта
IGBT Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка
Tube
Технология
Si
Техническая документация
Datasheet NGTB15N120FL2WG , pdf
, 330 КБ
Datasheet NGTB15N120FL2WG , pdf
, 326 КБ
Datasheet NGTB15N120FL2WG , pdf
, 197 КБ
Datasheet , pdf
, 268 КБ