ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NDUL03N150CG, Диод - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NDUL03N150CG, Диод
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NDUL03N150CG, Диод
Последняя цена
393 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, от 100 до 1700 В, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NDUL03N150CG
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1818857
Технические параметры
Вес, г
7.56
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
TO-3PF
Transistor Material
Si
Length
43.8мм
Brand
ON Semiconductor
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Transistor Configuration
Одиночный
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
5 А
Maximum Power Dissipation
50 W
Width
15.5мм
Height
5.5мм
Maximum Drain Source Resistance
10.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage
1500 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 256 КБ
Datasheet NDUL03N150CG , pdf
, 261 КБ
Datasheet , pdf
, 263 КБ
