ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NDT3055L, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
NDT3055L, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
NDT3055L, Транзистор
Последняя цена
210 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor
Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с использованием запатентованной Fairchild, технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с высокой плотностью был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения прочной и надежной работы и быстрого переключения.
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
NDT3055L
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1784379
Технические параметры
Количество Выводов
4вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-223
Вес, г
0.172
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Полярность транзистора
N Канал
Transistor Mounting
Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Напряжение Истока-стока Vds
60В
Непрерывный Ток Стока
4А
Пороговое Напряжение Vgs
1.6В
Рассеиваемая Мощность
3Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.07Ом
Техническая документация
Datasheet NDT3055L , pdf
, 243 КБ
Datasheet NDT3055L , pdf
, 318 КБ
