ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NDP6020P, Светодиод - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
NDP6020P, Светодиод
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NDP6020P, Светодиод
Последняя цена
181 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET с P-каналом в режиме расширения, ON Semiconductor
Полевые МОП-транзисторы ON Semiconductors с P-каналом производятся с использованием запатентованной ON Semi технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс очень высокой плотности был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, чтобы обеспечить прочную и надежную работу для быстрого переключения.
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
NDP6020P
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1805152
Технические параметры
Вес, г
2
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Package Type
TO-220
Transistor Material
Si
Length
10.67mm
Brand
ON Semiconductor
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 5 V
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Transistor Configuration
Одиночный
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
24 A
Maximum Power Dissipation
60 Вт
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
4.7мм
Height
16.3мм
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Техническая документация
Datasheet NDP6020P , pdf
, 164 КБ