ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NDF04N60ZG, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NDF04N60ZG, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NDF04N60ZG, Транзистор
Последняя цена
61 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, от 100 до 1700 В, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NDF04N60ZG
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1819128
Технические параметры
Вес, г
0.8
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
TO-220FP
Transistor Material
Si
Length
10.63mm
Brand
ON Semiconductor
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Mounting Type
Through Hole
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
4.8 A
Maximum Power Dissipation
30 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.9mm
Height
16.12mm
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
