NCE30H12K, Транзистор N-MOSFET 30В 120A [TO-252-2] - характеристики, поставщики

NCE30H12K, Транзистор N-MOSFET 30В 120A [TO-252-2]

Последняя цена 47 руб.

NCE30H12K, Транзистор N-MOSFET 30В 120A [TO-252-2]

Сравнить

Информация

Производитель

Wuxi NCE Power Semiconductor

Артикул

NCE30H12K

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1746206

Технические параметры

Вес, г

0.6

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

120A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

120W

Rds On - Drain-Source Resistance

4.5mО© @ 20A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30V

Vgs - Gate-Source Voltage

3V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 419 КБ