MUN5131DW1T1G, Транзистор PNP x2, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 187/256Вт, SOT363, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 17 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

MUN5131DW1T1G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2171954

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.02

Pd - рассеивание мощности

250 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.9 mm

Длина

2 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Dual

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

MUN5131DW1

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SC-88-6

Ширина

1.25 mm

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

8 at 5 mA at 10 V

Пиковый постоянный ток коллектора

100 mA

Типичное входное сопротивление

2.2 kOhms

Типичный коэффициент деления резистора

Техническая документация

Datasheet MUN5131DW1T1G , pdf , 112 КБ

MUN5131DW1T1G, Транзистор PNP x2, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 187/256Вт, SOT363 - характеристики, поставщики

Последняя цена 17 руб.

Техническая документация