MUN2113T1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный PNP, -50 В, -100 мА, 47 кОм, 47 кОм, ONSEMI - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 33 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR PNP 50V

Информация

Производитель

ONSEMI

Артикул

MUN2113T1G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1318154

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Количество Выводов

3 Вывода

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

-50В

Полярность Транзистора

PNP

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.07

Base Product Number

MUN2113 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

230mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SC-59

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300ВµA, 10mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Корпус РЧ Транзистора

SC-59

Maximum DC Collector Current

100mA

Pin Count

Minimum DC Current Gain

80@5mA@10V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Pd - Power Dissipation

230mW

Pd - рассеивание мощности

338 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.09 mm

Длина

2.9 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

MUN2113

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SC-59

Ширина

1.5 mm

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

PNP

Configuration

Single

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.25@0.3mA@10mA

Maximum Power Dissipation (mW)

300

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

Supplier Package

SC-59

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

1.09

Package Length

2.9

Package Width

1.5

PCB changed

Резистор На входе Базы R1

47кОм

Непрерывный Коллекторный Ток Ic

-100мА

Соотношение Сопротивления, R1 / R2

1соотношение

Резистор База-эмиттер R2

47кОм

Полярность Цифрового Транзистора

Одиночный PNP

Пиковый постоянный ток коллектора

100 mA

Типичное входное сопротивление

47 kOhms

Типичный коэффициент деления резистора

Typical Resistor Ratio

Resistor - Base (R1)

47 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)

47 kOhms

Maximum Continuous DC Collector Current (mA)

100

Typical Input Resistor (kOhm)

Техническая документация

Datasheet , pdf , 197 КБ
Datasheet , pdf , 454 КБ
DTA144E_D-1387927 , pdf , 451 КБ

MUN2113T1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный PNP, -50 В, -100 мА, 47 кОм, 47 кОм - характеристики, поставщики

Последняя цена 33 руб.

Техническая документация