ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MSA1162GT1G, Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 100 мА, 200 мВт, SC-59, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
MSA1162GT1G, Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 100 мА, 200 мВт, SC-59,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MSA1162GT1G, Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 100 мА, 200 мВт, SC-59, Surface Mount
Последняя цена
31 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
MSA1162GT1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1316902
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
50в
Стиль Корпуса Транзистора
SC-59
Рассеиваемая Мощность
200мВт
Полярность Транзистора
pnp
DC Ток Коллектора
100мА
DC Усиление Тока hFE
200hFE
Частота Перехода ft
80МГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.07
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet MSA1162GT1G , pdf
, 87 КБ