MRF1K50HR5, РЧ полевой транзистор, 135 В DC, 1.667 кВт, 1.8 МГц, 500 МГц, NI-1230, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 36640 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\РЧ Полевые Транзисторы

РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Артикул

MRF1K50HR5

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1315134

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

225 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Рассеиваемая Мощность

1.667кВт

Полярность Транзистора

N-Channel

Напряжение Истока-стока Vds

135В DC

Вес, г

0.3

Минимальная рабочая температура

40 C

Id - непрерывный ток утечки

2.4 A

Pd - рассеивание мощности

1.667 kW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

500 mV, 135 V

Vgs - напряжение затвор-исток

6 V, 10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Другие названия товара №

935313284178

Категория продукта

РЧ МОП-транзисторы

Количество каналов

2 Channel

Конфигурация

Dual

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

33.5 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

Серия

MRF1K50H

Технология

Тип продукта

RF MOSFET Transistors

Торговая марка

NXP Semiconductors

Упаковка / блок

NI-1230H-4S

Тип

RF Power MOSFET

Корпус РЧ Транзистора

NI-1230

Максимальная Рабочая Частота

500МГц

Минимальная Рабочая Частота

1.8МГц

Выходная мощность

1.5 kW

Рабочая частота

1.8 MHz to 500 MHz

Усиление

23.7 dB

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1098 КБ
Datasheet MRF1K50HR5 , pdf , 1104 КБ

MRF1K50HR5, РЧ полевой транзистор, 135 В DC, 1.667 кВт, 1.8 МГц, 500 МГц, NI-1230 - характеристики, поставщики

Последняя цена 36640 руб.

Техническая документация