MRF1518NT1, РЧ полевой транзистор, 40 В, 4 А, 62.5 Вт, 450 МГц, 520 МГц, PLD-1.5, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 380 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\РЧ Полевые Транзисторы

РЧ МОП-транзисторы RF LDMOS FET PLD1.5N

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Артикул

MRF1518NT1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1315132

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Рассеиваемая Мощность

62.5Вт

Полярность Транзистора

N-Channel

Напряжение Истока-стока Vds

40В

Непрерывный Ток Стока

4А

Вес, г

0.3

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 3-168 часов

Ширина

5.97 mm

Высота

1.83 mm

Минимальная рабочая температура

65 C

Id - непрерывный ток утечки

4 A

Pd - рассеивание мощности

62.5 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

40 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.6 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Длина

6.73 mm

Другие названия товара №

935309516515

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

РЧ МОП-транзисторы

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

MRF1518NT1

Технология

Тип продукта

RF MOSFET Transistors

Торговая марка

NXP Semiconductors

Упаковка / блок

PLD-1.5

Тип

RF Power MOSFET

Чувствительный к влажности

Yes

Корпус РЧ Транзистора

PLD-1.5

Максимальная Рабочая Частота

520МГц

Минимальная Рабочая Частота

450МГц

Выходная мощность

8 W

Рабочая частота

520 MHz

Усиление

13 dB

Техническая документация

Datasheet MRF1518NT1 , pdf , 788 КБ
Datasheet MRF1518NT1 , pdf , 789 КБ

MRF1518NT1, РЧ полевой транзистор, 40 В, 4 А, 62.5 Вт, 450 МГц, 520 МГц, PLD-1.5 - характеристики, поставщики

Последняя цена 380 руб.

Техническая документация