ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MMUN2233LT1G, Транзистор NPN, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 246/400Вт, SOT23 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MMUN2233LT1G, Транзистор NPN, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 246/400Вт,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MMUN2233LT1G, Транзистор NPN, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 246/400Вт, SOT23
Последняя цена
11 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
Цифровые NPN-транзисторы с двумя резисторами, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MMUN2233LT1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2176700
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Количество Выводов
3 Вывода
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1-Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
50В
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.02
Base Product Number
MMUN2233 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
246mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Корпус РЧ Транзистора
SOT-23
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum DC Collector Current
100mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Pd - Power Dissipation
246mW
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.94мм
Высота
0.94мм
Длина
2.9мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.3мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.25 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 V
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
80
Резистор На входе Базы R1
4.7кОм
Непрерывный Коллекторный Ток Ic
100мА
Соотношение Сопротивления, R1 / R2
0.1соотношение
Резистор База-эмиттер R2
47кОм
Полярность Цифрового Транзистора
Одиночный NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 mA
Типичный входной резистор
4,7 кΩ
Типичный коэффициент резистора
0.1
Resistor - Base (R1)
4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 135 КБ
Datasheet , pdf
, 394 КБ