ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MMUN2213LT1G, Транзистор NPN Digital, R1=47 кОм, R2= 47 кОм [SOT-23-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MMUN2213LT1G, Транзистор NPN Digital, R1=47 кОм, R2= 47 кОм [SOT-23-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MMUN2213LT1G, Транзистор NPN Digital, R1=47 кОм, R2= 47 кОм [SOT-23-3]
Последняя цена
5 руб.
Сравнить
Описание
Цифровые NPN-транзисторы с двумя резисторами, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MMUN2213LT1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1746286
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.05
Transistor Configuration
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.94мм
Высота
0.94мм
Длина
2.9мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.3
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.25 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
80
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 mA
Типичный входной резистор
47 кΩ
Типичный коэффициент резистора
1
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 418 КБ
Datasheet , pdf
, 414 КБ
Datasheet MMUN2213LT1G , pdf
, 145 КБ