ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MMST2907A-7-F, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 600 мА, 200 мВт, SOT-323, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
MMST2907A-7-F, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 600 мА, 200 мВт, SOT-…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MMST2907A-7-F, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 600 мА, 200 мВт, SOT-323, Surface Mount
Последняя цена
56 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Малосигнальные PNP-транзисторы, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
MMST2907A-7-F
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1307877
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
60В
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-323
Рассеиваемая Мощность
200мВт
Полярность Транзистора
pnp
DC Ток Коллектора
600мА
DC Усиление Тока hFE
100hFE
Частота Перехода ft
200МГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.06
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Type
PNP
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-1.6 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
200 MHz
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2mm
Maximum Collector Base Voltage
-60 V
Transistor Configuration
Single
Brand
DiodesZetex
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Package Type
SOT-323 (SC-70)
Maximum Power Dissipation
200 mW
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.35mm
Maximum DC Collector Current
600 mA
Height
1mm
Pin Count
3
Dimensions
2.2 x 1.35 x 1mm
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Minimum DC Current Gain
50
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-1,6 В
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
PNP
Product Category
Bipolar Small Signal
Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage (V)
60
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
60
Maximum Emitter Base Voltage (V)
5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
1.3@15mA@150mA|2.6@50mA@500mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.4@15mA@150mA|1.6@50mA@500mA
Maximum DC Collector Current (A)
0.6
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
10
Maximum Power Dissipation (mW)
200
Maximum Transition Frequency (MHz)
200(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Standard Package Name
SOT-323
Supplier Package
SOT-323
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
0.95
Package Length
2.15
Package Width
1.3
PCB changed
3
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Pd - рассеивание мощности:
200 mW
Вид монтажа:
SMD/SMT
Категория продукта:
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация:
Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.:
300
Максимальная рабочая температура:
+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора:
0.6 A
Напряжение коллектор-база (VCBO):
- 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:
- 60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
- 1.6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO):
- 5 V
Непрерывный коллекторный ток:
- 0.6 A
Подкатегория:
Transistors
Полярность транзистора:
PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):
200 MHz
Производитель:
Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки:
3000
Технология:
Si
Тип продукта:
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка:
Diodes Incorporated
Упаковка / блок:
SOT-323-3
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-2.6 V
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-2,6 В
Supplier Temperature Grade
Automotive
Высота:
1 mm
Длина:
2.2 mm
Минимальная рабочая температура:
- 55 C
Ширина:
1.35 mm
Серия:
MMST29
Техническая документация
Datasheet MMST2907A-7-F , pdf
, 414 КБ
Datasheet MMST2907A-7-F , pdf
, 426 КБ
Datasheet MMST2907A-7-F , pdf
, 385 КБ