MMBTA55LT1G, Транзистор [SOT-23-3], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 15 руб.

Сравнить

Описание

• Низкое RDS (ON) обеспечивает более высокую эффективность и продлевает срок службы батареи
• Экономит место на плате
• Соответствует требованиям AEC-Q101 и поддерживает PPAP

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

MMBTA55LT1G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1817408

Технические параметры

Вес, г

Number of Elements per Chip

Pin Count

Minimum DC Current Gain

100@10mA@1V|100@100mA@1V

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.21.00.95

Type

PNP

Product Category

Bipolar Small Signal

Material

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.25@10mA@100mA

Maximum DC Collector Current (A)

0.5

Maximum Collector Cut-Off Current (nA)

100

Maximum Power Dissipation (mW)

300

Maximum Transition Frequency (MHz)

50(Min)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-23

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

0.94

Package Length

2.9

Package Width

1.3

PCB changed

Lead Shape

Gull-wing

Техническая документация

Datasheet , pdf , 191 КБ
Datasheet , pdf , 70 КБ
Datasheet , pdf , 73 КБ
Datasheet , pdf , 149 КБ

MMBTA55LT1G, Транзистор [SOT-23-3] - характеристики, поставщики

Последняя цена 15 руб.

Техническая документация