ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MMBT5962, Микросхема - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
MMBT5962, Микросхема
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MMBT5962, Микросхема
Последняя цена
19 руб.
Сравнить
Описание
Малосигнальные NPN-транзисторы, 40–50 В, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
MMBT5962
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1805218
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.4
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
45 В
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN-NO/NC
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.93мм
Высота
0.93мм
Длина
2.9мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.3мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,2 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Максимальное напряжение эмиттер-база
8 В
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
600
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 587 КБ
Datasheet MMBT5962 , pdf
, 586 КБ
