ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MMBT3416LT3G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 100 мА, 225 мВт, SOT-23, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
MMBT3416LT3G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 100 мА, 225 мВт, SOT-2…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MMBT3416LT3G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 100 мА, 225 мВт, SOT-23, Surface Mount
Последняя цена
26 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
MMBT3416LT3G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1307446
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150
Количество Выводов
3
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
40
Стиль Корпуса Транзистора
sot-23
Рассеиваемая Мощность
225
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
100
DC Усиление Тока hFE
75
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.1
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
No. of Pins
3
Operating Temperature Max
150
Power Dissipation Pd
225
Transistor Case Style
sot-23
Transistor Polarity
npn
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
40
DC Collector Current
100
DC Current Gain hFE
75
MSL
MSL 1 - Unlimited
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet MMBT3416LT3G , pdf
, 281 КБ