ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MMBFJ310, Транзистор RF N-CH 25V 10MA [SOT23] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MMBFJ310, Транзистор RF N-CH 25V 10MA [SOT23]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
MMBFJ310, Транзистор RF N-CH 25V 10MA [SOT23]
Последняя цена
16 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MMBFJ310
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1741980
Технические параметры
Вес, г
0.05
Структура
n-канал
Корпус
sot-23
Напряжение пробоя (V(br)gss), В
25
Ток утечки (Idss), мА
24…60
при Vds, В (Vgs=0)
10
Напряжение отсечки (Vgs off), В
2…6.5
при Id, нА
1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
0.225
Рабочая температура (Tj), °C
-55…+150
Техническая документация
MMBFJ310 , pdf
, 410 КБ