MMBFJ177LT1G, Транзистор, P-канал, 30В 50мА 225мВт [SOT-23], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Корпус TO236

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

MMBFJ177LT1G

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1783150

Вес, г

0.05

Структура

p-канал

Корпус

sot-23

Напряжение пробоя (V(br)gss), В

Ток утечки (Idss), мА

1.5…20

при Vds, В (Vgs=0)

Напряжение отсечки (Vgs off), В

0.8…2.5

при Id, нА

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

0.225

Рабочая температура (Tj), °C

-55…+150

Сопротивление канала (RDS(On)), Ом

300(max)

MMBFJ177LT1G, Транзистор, P-канал, 30В 50мА 225мВт [SOT-23] - характеристики, поставщики